Накопители SSD Samsung M.2 2280 в Москве

Серия 860 Evo Объем накопителя 500 Гб Интерфейс Sata Iii Форм-фактор M.2 2280 Тип памяти 3D Tlc Максимальная

Серия 970 Evo Объем накопителя 500 Гб Интерфейс Pci-E x4 Форм-фактор M.2 2280 Тип памяти V-Nand Максимальная

Серия 860 Evo Объем накопителя 256 Гб Интерфейс Sata Iii Форм-фактор M.2 2280 Тип памяти 3D Tlc Максимальная

Серия 970 Evo Объем накопителя 250 Гб Интерфейс Pci-E x4 Форм-фактор M.2 2280 Тип памяти V-Nand 9 Максимальная

Серия 970 Pro Объем накопителя 512 Гб Интерфейс Pci-E x4 Форм-фактор M.2 2280 Тип памяти 3D Mlc Максимальная

Объем накопителя 1024 Гб Интерфейс Sata Iii Форм-фактор M.2 2280 Тип памяти 3D Nand Tlc Максимальная

Серия 970 Evo Объем накопителя 2048 Гб Интерфейс Pci-E x4 Форм-фактор M.2 2280 Тип памяти V-Nand Максимальная

Серия 970 Evo Объем накопителя 1024 Гб Интерфейс Pci-E x4 Форм-фактор M.2 2280 Тип памяти 3D Mlc Толщина

Дополнительная информация: новая 96-слойная TLC 3D V-NAND пятого поколения - замена старой 64-слойной

скорость чтения, до: 3100МБ/с; скорость записи, до: 2600МБ/с; интерфейс: PCI-E x4; тип памяти: V-NAND

скорость чтения, до: 2900МБ/с; скорость записи, до: 1300МБ/с; интерфейс: PCI-E x4; тип памяти: V-NAND

скорость чтения, до: 3500МБ/с; скорость записи, до: 3200МБ/с; интерфейс: PCI-E x4; тип памяти: V-NAND

скорость чтения, до: 3500МБ/с; скорость записи, до: 3300МБ/с; интерфейс: PCI-E x4; тип памяти: V-NAND

скорость чтения, до: 6900МБ/с; скорость записи, до: 5000МБ/с; интерфейс: PCI-E 4.0 x4; тип памяти: V-NAND

скорость чтения, до: 3500МБ/с; скорость записи, до: 2700МБ/с; интерфейс: PCI-E x4; тип памяти: 3D MLC

скорость чтения, до: 3500МБ/с; скорость записи, до: 2300МБ/с; интерфейс: PCI-E x4; тип памяти: 3D MLC

скорость чтения, до: 6400МБ/с; скорость записи, до: 2700МБ/с; интерфейс: PCI-E 4.0 x4; тип памяти: V-NAND

скорость чтения, до: 3500МБ/с; скорость записи, до: 3300МБ/с; интерфейс: PCI-E x4; тип памяти: V-NAND

скорость чтения, до: 550МБ/с; скорость записи, до: 520МБ/с; интерфейс: SATA III; тип памяти: 3D TLC;

скорость чтения, до: 3500МБ/с; скорость записи, до: 2300МБ/с; интерфейс: PCI-E x4; тип памяти: V-NAND

Объем SSD: 250 ГБ, • Форм-фактор: M.2 Type 2280 M key, • Тип флеш-памяти: V-NAND, • Максимальная скорость

Объем SSD: 500 ГБ, • Форм-фактор: M.2 Type 2280 B&M Key, • Тип флеш-памяти: 3D TLC V-NAND, • Максимальная

скорость чтения, до: 7000МБ/с; скорость записи, до: 5000МБ/с; интерфейс: PCI-E 4.0 x4; тип памяти: V-NAND

Объем SSD: 250 ГБ, • Форм-фактор: M.2 Type 2280 B&M Key, • Тип флеш-памяти: 3D TLC V-NAND, • Максимальная

скорость чтения, до: 550МБ/с; скорость записи, до: 520МБ/с; интерфейс: SATA III; тип памяти: 3D TLC;

скорость чтения, до: 550МБ/с; скорость записи, до: 520МБ/с; интерфейс: SATA III; тип памяти: 3D TLC;

скорость чтения, до: 3500МБ/с; скорость записи, до: 3000МБ/с; интерфейс: PCI-E x4; тип памяти: V-NAND

Вес: 0.008 кг • Тип флэш-памяти: V-NAND 3-bit MLC • Контроллер: Samsung Pablo • Скорость чтения: 3500

Вес: 0.009 кг • Тип флэш-памяти: TLC • Контроллер: Samsung Elpis (8нм) • Скорость чтения: 6400 Мб/сек

Вес: 0.1 кг • Тип флэш-памяти: TLC • Скорость чтения: 5500 Мб/сек • Скорость записи: 2000 Мб/сек • Гарантия