SSD накопитель Samsung 980 MZ-V8V1T0BW 1ТБ, M.2 2280, PCI-E x4, NVMe

скорость чтения, до: 3100МБ/с; скорость записи, до: 2600МБ/с; интерфейс: PCI-E x4; тип памяти: V-NAND; форм-фактор: M.2 2280; TBW: 300 ТБ; поддержка NVMe

скорость чтения, до: 2900МБ/с; скорость записи, до: 1300МБ/с; интерфейс: PCI-E x4; тип памяти: V-NAND; форм-фактор: M.2 2280; TBW: 150 ТБ; поддержка NVMe

скорость чтения, до: 6900МБ/с; скорость записи, до: 5000МБ/с; интерфейс: PCI-E 4.0 x4; тип памяти: V-NAND; форм-фактор: M.2 2280; поддержка NVMe

скорость чтения, до: 7000МБ/с; скорость записи, до: 5000МБ/с; интерфейс: PCI-E 4.0 x4; тип памяти: V-NAND; форм-фактор: M.2 2280; поддержка NVMe

1000 ГБ , M.2 2280 (PCI-E есть ) (нет) • внутренний SSD-накопитель

скорость чтения, до: 6400МБ/с; скорость записи, до: 2700МБ/с; интерфейс: PCI-E 4.0 x4; тип памяти: V-NAND; форм-фактор: M.2 2280; TBW: 150 ТБ; поддержка NVMe

Объем накопителя: 1 ТБ;Скорости: чтения до 3500 МБ/с, записи до 3000 МБ/с;Интерфейс: PCI-E 3.0 x4;Тип памяти: V-NAND 3-bit MLC;TBW: 600 ТБ;Форм-фактор: M.2 2280; толщина 2.38 мм; разъем M.2;Особенности: поддержка NVMe

скорость чтения, до: 1600МБ/с; скорость записи, до: 1100МБ/с; интерфейс: PCI-E x4; тип памяти: 3D NAND TLC; форм-фактор: M.2 2280; TBW: 100 ТБ; поддержка NVMe

скорость чтения, до: 3300МБ/с; скорость записи, до: 1250МБ/с; интерфейс: PCI-E x4; тип памяти: 3D NAND; форм-фактор: M.2 2280; TBW: 550 ТБ; поддержка NVMe

скорость чтения, до: 1700МБ/с; скорость записи, до: 1400МБ/с; интерфейс: PCI-E x4; тип памяти: 3D NAND TLC; форм-фактор: M.2 2280; TBW: 200 ТБ; поддержка NVMe

скорость чтения, до: 1500МБ/с; скорость записи, до: 550МБ/с; интерфейс: PCI-E x4; тип памяти: 3D NAND TLC; форм-фактор: M.2 2280; TBW: 50 ТБ; поддержка NVMe

1000 ГБ , M.2 (PCI-E есть ) • внутренний