Модуль памяти Netac DDR3 DIMM 1600Mhz PC12800 CL11 - 4Gb NTBSD3P16SP-04

Покупка в день заказа

Общий объём памяти, Гб: 8; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.5 В; Назначение: для ПК; Радиатор: нет

Общий объём памяти, Гб: 4; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; Напряжение питания: 1.5 В; Назначение: для системного блока; Радиатор: нет

Общий объём памяти, Гб: 16; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: DIMM; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; Напряжение питания: 1.2 В

Общий объём памяти, Гб: 8; Тактовая частота: 3200 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 25600 Мб/с; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 16; Напряжение питания: 1.35 В; Радиатор: нет

Общий объём памяти, Гб: 8; Объем одного модуля: 8 ГБ; Тактовая частота: 3200 МГц; Форм-фактор: SODIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 22; Назначение: для ПК

Общий объём памяти, Гб: 8; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; RAS to CAS Delay (tRCD): 19; Row Precharge Delay (tRP): 19; Напряжение питания: 1.2 В

Общий объём памяти, Гб: 4; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: DIMM; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; Напряжение питания: 1.2 В; Радиатор: нет

Общий объём памяти, Гб: 8; Объем одного модуля: 8 ГБ; Тактовая частота: 3600 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): нет; Радиатор: есть; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): не указано; Назначение: для ноутбука

204-pin; частота: 1600; латентность: CL11; форм-фактор: SO-DIMM; тип поставки: Ret

Общий объём памяти, Гб: 8; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: SODIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; RAS to CAS Delay (tRCD): 19; Row Precharge Delay (tRP): 19; Напряжение питания: 1.2 В

Объем: 32768 МБ;Частота: 4800МГц;Латентность: CL40;Форм-фактор: DIMM, 288-pin;Тип поставки: OEM