Модуль памяти Netac Basic (NTBSD4N26SP-08) DDR4 SODIMM 8GB 2666MHz

Общий объём памяти, Гб: 8; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.5 В; Назначение: для ПК; Радиатор: нет

Общий объём памяти, Гб: 4; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; Напряжение питания: 1.5 В; Назначение: для системного блока; Радиатор: нет

Общий объём памяти, Гб: 8; Объем одного модуля: 8 ГБ; Тактовая частота: 3200 МГц; Форм-фактор: SODIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 22; Назначение: для ПК

Общий объём памяти, Гб: 16; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; RAS to CAS Delay (tRCD): 19; Row Precharge Delay (tRP): 19; Activate to Precharge Delay (tRAS): 43; Напряжение питания: 1.2 В; Количество ранков: 2

Общий объём памяти, Гб: 4; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: DIMM; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; Напряжение питания: 1.2 В; Радиатор: нет

Общий объём памяти, Гб: 8; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; RAS to CAS Delay (tRCD): 19; Row Precharge Delay (tRP): 19; Напряжение питания: 1.2 В

Общий объём памяти, Гб: 8; Объем одного модуля: 8 ГБ; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: SODIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 15; RAS to CAS Delay (tRCD): 17; Row Precharge Delay (tRP): 17; Activate to Precharge Delay (tRAS): 36; Напряжение питания: 1.2 В; Назначение: для настольных ПК

Общий объём памяти, Гб: 16; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: DIMM; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; Напряжение питания: 1.2 В

Общий объём памяти, Гб: 8; Тактовая частота: 3200 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 25600 Мб/с; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 16; Напряжение питания: 1.35 В; Радиатор: нет

Общий объём памяти, Гб: 8; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: SODIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Тип памяти: DDR3L; CAS Latency (CL): 11; Напряжение питания: 1.35 В; Количество ранков: 2

288-pin; частота: 2666; латентность: CL16; форм-фактор: DIMM; тип поставки: OEM

288-pin; частота: 2666; латентность: CL16; форм-фактор: DIMM; тип поставки: OEM