Индуктивные Источники Высокоплотной плазмы и Их технологические применения

Тенденции развития современной технологии электронной техники заключаются в увеличении степени интеграции изделий на поверхности подложек, что связано как с увеличением диаметра применяемых в производстве подложек, так и с уменьшением геометрических размеров элементов изделий на их поверхности. Сегодня размеры используемых полупроводниковых подложек возросли до 450 мм, а размеры элементов, формируемых на пластине в серийном производстве, уменьшились до 0,02-0,04 мкм. В результате степень интеграции выросла до одного миллиарда и более полупроводниковых приборов на одной пластине • Использование ВЧ разряда индуктивно связанной плазмы (ICP) как плазмообразующего источника предоставляет большие преимущества для технологии изделий с микро и нано элементами

Эта книга содержит анализ недостатков в использовании кредитными организациями электронного банкинга, на основе которого предлагается новый подход к обеспечению их технологической надежности. После оплаты Вам будет прислано письмо с ссылкой на файл в формате pdf

В книге американских специалистов приведены основные технические данные современных интегральных схем — от операционных усилителей до микропроцессоров. Даются рекомендации по их практическому применению, определению наилучших конструктивных решений, надежности действия и удобству эксплуатации. На русском языке издается в двух книгах • В книге 1 рассматриваются операционные усилители, генераторы, преобразователи, схемы фазовой автоподстройки частоты и стабилизации напряжения, таймеры, аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи, логические схемы с малой степенью интеграции • В книге 2 рассматриваются схемы средней и большой степени интеграции, микропроцессоры, электронные устройства и цепи сопряжения • Для инженеров, занимающихся применением интегральных схем, и студентов вузов, изучающих электронную и вычислительную технику