г. Москва, Московская область
Техносфера КМОП интегральные схемы со структурой «кремний на сапфире» Петросянц К. О., Адонин А. С

Техносфера КМОП интегральные схемы со структурой «кремний на сапфире» Петросянц К. О., Адонин А. С

цена 1 040 руб.
Перейти в интернет-магазин
купить в магазине My-shop.ru г. Москва
Книга посвящена КМОП интегральным схемам (ИС) со структурой «кремний на сапфире», которые являются стратегически важным направлением создания ИС для экстремальных и ответственных применений и одновременно быстроразвивающимся перспективным направлением создания больших ИС (БИС) и систем на кристалле (СнК) для мобильных систем связи. В книге рассмотрены следующие вопросы: специфика интегральных схем со структурой КМОП КНС; требования к исходным материалам и КНС-структурам; базовые технологические процессы изготовления приборов и схем; типовые конструкции элементов КМОП КНС интегральных схем различных поколений, их электрические характеристики и параметры; методы приборно-технологического и схемотехнического моделирования приборных структур и типовых цифровых и аналоговых схемных фрагментов; основные характеристики и параметры радиационно стойких КМОП КНС-микросхем и БИС отечественных и зарубежных производителей; элементная база оптоэлектронных ИС, в том числе негальванические фотоэлектрические модули для автономного электропитания и модули для многоканальных оптических соединений подробнее
Смотрите также
В сборник вошли статьи сотрудников Федерального государственного автономного научного учреждения «Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова» Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН), опубликованные в период 2010–2017 гг. по новым направлениям исследований наногетероструктур А3В5 (арсенид галлия и нитрид галлия): расчет и моделирование систем на кристалле с интегрированными антеннами и усилителями для крайне высоких частот, создание фотопроводящих антенн для терагерцевых устройств • Статьи использованы при выполнении работ по заказу Минобрнауки России в рамках: ФЦП «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008–2015 годы, ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009–2013 годы, ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России» на 2007–2013 годы и на 2014–2020 годы
My-shop.ru г. Москва
710 руб.
Книга будет чрезвычайно полезна разработчикам цифровых интегральных схем и инженерам, желающим лучше разобраться в структуре СБИС. В ней предлагается множество полезных примеров, которые вы можете использовать в своей работе, и учтены основные тенденции, существующие в современном мире разработки КМОП-устройств. Книгу можно использовать как учебник по микроэлектронике при подготовке студентов соответствующих специальностей или как справочник по интегральным схемам, который удобно всегда иметь под рукой. Она хорошо структурирована и достаточно понятна, хотя базовые знания о предметной области и используемом в ней математическом аппарате все же желательны
Буквоед г. Москва (пункт выдачи заказов)
2 638 руб.
В учебном пособии рассмотрены принципы работы и электрические характеристики биполярных и МОП-транзисторов интегральных схем, базовых элементов цифровой и аналоговой схемотехники, БМК и ПЛМ, микроконтроллеров и микропроцессоров. Описаны методики выполнения лабораторных, расчетных на ЭВМ, курсовых, самостоятельных и др. работ. Пособие предназначено для бакалавров и магистров различных специальностей, изучающих электронику, микроэлектронику и схемотехнику; отдельные разделы могут быть полезными для аспирантов и инженеров-практиков
My-shop.ru г. Москва
884 руб.
В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiC>2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц.Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов
Буквоед г. Москва (пункт выдачи заказов)
385 руб.
В книге американских специалистов приведены основные технические данные современных интегральных схем — от операционных усилителей до микропроцессоров. Даются рекомендации по их практическому применению, определению наилучших конструктивных решений, надежности действия и удобству эксплуатации. На русском языке издается в двух книгах • В книге 1 рассматриваются операционные усилители, генераторы, преобразователи, схемы фазовой автоподстройки частоты и стабилизации напряжения, таймеры, аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи, логические схемы с малой степенью интеграции • В книге 2 рассматриваются схемы средней и большой степени интеграции, микропроцессоры, электронные устройства и цепи сопряжения • Для инженеров, занимающихся применением интегральных схем, и студентов вузов, изучающих электронную и вычислительную технику
Буквоед г. Москва (пункт выдачи заказов)
855 руб.
Рассмотрены особенности изготовления гибридных интегральных схем: диэлектрическая подложка на основе низкотемпературной керамики, подвесные активные элементы, толстоплёночные пассивные элементы. Уделено внимание технологии и компоновке элементов. Приводятся конкретные примеры из производства гибридных интегральных схем. Изложены технические приёмы и оборудование монтажа навесных элементов • Для студентов, обучающихся по специальности 11.00.00 «Электроника, радиотехника и системы связи», а также инженеров, занятых проектированием и обслуживанием электронных приборов
My-shop.ru г. Москва
891 руб.
В монографии рассмотрена проблема оценки качества сверхбольших интегральных схем (СБИС). Прогресс в их изготовлении не обеспечен методологией оценки результатов испытаний на надежность как свойства высокого качества. Для решения данной проблемы вводится понятие "электронного функционала" и предлагается учитывать показатель его функциональной устойчивости, который определяет вероятность динамического явления, а именно сбоя выходных сигналов СБИС. Критически рассматривается возможность ускорения тепловых испытаний на надежность компонентов электронной техники, включая лимит адекватности термодинамической модели старения Аррениуса для дискретных компонентов, а также ее ничтожную достоверность в случае оценки надежности СБИС по функциональному критерию
My-shop.ru г. Москва
299 руб.
Назначение: Предназначена для создания декоративного слоя со структурой «короед» в фасадных теплоизоляционных композитных системах. Свойства: Тонкослойная. Совместима со всеми типами теплоизоляционных плит. Сохраняет декоративные свойства после воздействия знакопеременных температур. Паропроницаемая. Сайт производителя: mapei.com
Бафус г. Москва
985 руб.
Compare-Price.ru - сравнение цен интернет-магазинов. Просто выбрать. Легко купить.