SSD накопитель GIGABYTE NVMe GP-GSM2NE3128GNTD 128ГБ, M.2 2280, PCI-E 3.0, NVMe

скорость чтения, до: 1800МБ/с; скорость записи, до: 900МБ/с; интерфейс: PCI-E x4; тип памяти: 3D NAND; форм-фактор: M.2 2280; TBW: 120 ТБ; поддержка NVMe

скорость чтения, до: 3500МБ/с; скорость записи, до: 3200МБ/с; интерфейс: PCI-E x4; тип памяти: V-NAND; форм-фактор: M.2 2280; TBW: 300 ТБ; поддержка NVMe

скорость чтения, до: 1800МБ/с; скорость записи, до: 1400МБ/с; интерфейс: PCI-E x4; тип памяти: 3D NAND; форм-фактор: M.2 2280; TBW: 240 ТБ; поддержка NVMe

скорость чтения, до: 3500МБ/с; скорость записи, до: 3300МБ/с; интерфейс: PCI-E x4; тип памяти: V-NAND; форм-фактор: M.2 2280; TBW: 600 ТБ; поддержка NVMe

скорость чтения, до: 3500МБ/с; скорость записи, до: 3300МБ/с; интерфейс: PCI-E x4; тип памяти: V-NAND; форм-фактор: M.2 2280; TBW: 1200 ТБ; поддержка NVMe

скорость чтения, до: 3500МБ/с; скорость записи, до: 2300МБ/с; интерфейс: PCI-E x4; тип памяти: V-NAND; форм-фактор: M.2 2280; TBW: 150 ТБ; поддержка NVMe

скорость чтения, до: 3100МБ/с; скорость записи, до: 1500МБ/с; интерфейс: PCI-E x4; тип памяти: 3D NAND; форм-фактор: M.2 2280; TBW: 300 ТБ; поддержка NVMe

скорость чтения, до: 1800МБ/с; скорость записи, до: 1400МБ/с; интерфейс: PCI-E x4; тип памяти: 3D NAND; форм-фактор: M.2 2280; TBW: 960 ТБ; поддержка NVMe

Цвет: Черный • Размеры (мм): 80 x 22 x 2.38 • Подсветка: Нет • Радиатор: Нет • Объём (ГБ): 2048 • Форм-фактор: M.2 228 • Интерфейс подключения: M.2 (PCI-E) • Время работы на отказ (часов): 1500000 • Скорость случайной записи (блоки по 4Кб): 560000 IOPS • Тип флэш-памяти: V-NAND MLC • Потребление (рабочий режим): 6.1 W • Кэш-память (МБ): 2048 • Более быстрый по сравнению с накопителем предыдущей серии 970 EVO, накопитель 970 EVO Plus использует новейшую технологию V-NAND и оптимизированную прошивку. Этот SSD накопитель максимально использует технологию NVMe, благодаря чему обеспечивается высокая производительность • Накопитель 970 EVO Plus обеспечивает скорость последовательного чтения/записи до 3500/3300 MБ/с соответственно. Новейшая технология V-NAND по сравнению с технологией NAND отличается более высокими скоростными характеристиками и меньшем энергопотреблением

Цвет: Черный • Размеры (мм): 80.15 x 22.15 x 2.38 • Подсветка: Нет • Радиатор: Нет • Объём (ГБ): 1024 • Форм-фактор: M.2 228 • Интерфейс подключения: M.2 (PCI-E) • Время работы на отказ (часов): 1500000 • Скорость случайной записи (блоки по 4Кб): 60000 IOPS • Тип флэш-памяти: V-NAND MLC • Потребление (рабочий режим): 6.1 W • Кэш-память (МБ): 1024 • SAMSUNG 970 EVO Plus MZ-V7S1T0BW создан специально для апгрейда компьютеров. Интерфейс PCI-E x4 с поддержкой NVMe обеспечивают скорость чтения 3500 Мб/с. ОС загружается за считаные секунды, игры и программы запускаются невероятно быстро. Накопитель будет интересен не только пользователям с HDD, но и владельцам SATA III-устройств, потому как в разы опережает их в быстродействии • SAMSUNG 970 EVO Plus MZ-V7S1T0BW выполнен в распространённом форм-факторе М

Цвет: Черный • Размеры (мм): 80 x 22 x 2 • Подсветка: Нет • Радиатор: Нет • Объём (ГБ): 500 • Форм-фактор: M.2 228 • Интерфейс подключения: M.2 (PCI-E) • Время работы на отказ (часов): 1500000 • Скорость случайной записи (блоки по 4Кб): 550000 IOPS • Тип флэш-памяти: V-NAND MLC • Потребление (рабочий режим): 5.8 W • Кэш-память (МБ): 512 • SAMSUNG 970 EVO Plus MZ-V7S500BW дает возможность полностью насладиться мощностью компьютера. Благодаря работе с интерфейсом PCI-E Gen 3.0 x 4 скорость чтения возрастает до 3500 Мб/с. Поэтому лаги и излишняя задумчивость при запуске игровых новинок уйдут в прошлое. Объем диска – 500 Гб, на нем без проблем помещаются ОС и офисные программы, и остается место для хранения файлов, например, сотен альбомов музыки в формате FLAC • Устройство подходит для установки и в ноутбуки и ультрабуки, ведь оно выполнено в форм-факторе М

Цвет: Черный • Размеры (мм): 80 x 22 x 2 • Радиатор: Нет • Объём (ГБ): 250 • Форм-фактор: M.2 228 • Интерфейс подключения: M.2 (PCI-E) • Время работы на отказ (часов): 1500000 • Скорость случайной записи (блоки по 4Кб): 550000 IOPS • Тип флэш-памяти: V-NAND MLC • Потребление (рабочий режим): 5 W