Твердотельный накопитель Samsung SSD 870 QVO, 4 Тб, арт. MZ-77Q4T0BW

Назначение: внутренний • Тип: SSD • Форм-фактор: 2.5" • Интерфейс: SATA-III • Объём накопителя: 1000 Гб • Тип флэш-памяти: QLC • Контроллер: Samsung MKX • Скорость чтения: 560 Мб/сек • Скорость записи: 530 Мб/сек • Скорость произвольного чтения 4 КБ файлов: 98000 IOPS • Скорость произвольной записи 4 КБ файлов: 88000 IOPS • Время наработки на отказ: 1500000 ч

Назначение: внутренний • Тип: SSD • Форм-фактор: 2.5" • Интерфейс: SATA-III • Объём накопителя: 2000 Гб • Тип флэш-памяти: QLC • Контроллер: Samsung MKX • Скорость чтения: 560 Мб/сек • Скорость записи: 530 Мб/сек • Скорость произвольного чтения 4 КБ файлов: 98000 IOPS • Скорость произвольной записи 4 КБ файлов: 88000 IOPS • Время наработки на отказ: 1500000 ч

Назначение: внутренний • Тип: SSD • Форм-фактор: M.2 • Интерфейс: PCI-E 4.0 x4 • Объём накопителя: 250 Гб • Тип флэш-памяти: TLC • Контроллер: Samsung Elpis (8нм) • Объём кэш памяти: 512 Мб, LPDDR4 • Скорость чтения: 6400 Мб/сек • Скорость записи: 2700 Мб/сек • Скорость произвольного чтения 4 КБ файлов: 500000 IOPS, с глубиной очереди QD32 • Скорость произвольной записи 4 КБ файлов: 600000 IOPS, с глубиной очереди QD32 • Ресурс перезаписи (TBW): 150 ТБ • Время наработки на отказ: 1500000 ч • Вес: 0.009 кг

Назначение: внутренний • Тип: SSD • Форм-фактор: M.2 • Интерфейс: PCI-E 4.0 x4 • Объём накопителя: 500 Гб • Тип флэш-памяти: TLC • Контроллер: Samsung Elpis (8нм) • Объём кэш памяти: 512 Мб, LPDDR4 • Скорость чтения: 6900 Мб/сек • Скорость записи: 5000 Мб/сек • Скорость произвольного чтения 4 КБ файлов: 800000 IOPS • Скорость произвольной записи 4 КБ файлов: 1000000 IOPS • Время наработки на отказ: 1500000 ч • Вес: 0.009 кг

Тип: SSD диск • Объем: 1 Тб • Форм-фактор накопителя: M.2 • Подключение: SATA 6Gb/s • Поддержка TRIM: есть • Максимальная скорость интерфейса: 600 МБ/с • Интерфейс передачи данных: SATA III • Типоразмер M.2: 2280 • Тип флэш-памяти: 3D MLC NAND (Samsung V-NAND 3bit MLC) • Контроллер: Samsung MJX • Скорость последовательного чтения: 550 МБ/с • Скорость последовательной записи: 520 МБ/с • Скорость случайного чтения: 97000 IOps • Скорость случайной записи: 88000 IOps • Максимальная ударная нагрузка: 1500 G • Аппаратное шифрование: есть (AES 256-битное) • Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч