Xeon E5-2407V2 Ivy Bridge-EN (2400MHz, LGA1356, L3 10240Kb)

Socket: LGA1155; Комплектация: OEM; Линейка: Core i7; Ядро: Ivy Bridge; Количество ядер: 4; Техпроцесс: 22 нм; Тактовая частота: 3400 МГц; Системная шина: DMI; Интегрированное графическое ядро: HD Graphics 4000, 1150 МГц; Встроенный контроллер памяти: есть; Объем кэша L1: 64 Кб; Объем кэша L2: 1024 Кб; Объем кэша L3: 8192 Кб; Поддержка Hyper-Threading: есть; Инструкции: MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSE4; Поддержка AMD64/EM64T: есть; Поддержка NX Bit

Socket: LGA1155; Комплектация: OEM; Линейка: Celeron; Ядро: Ivy Bridge; Количество ядер: 2; Техпроцесс: 22 нм; Тактовая частота: 2700 МГц; Системная шина: DMI; Коэффициент умножения: 27; Интегрированное графическое ядро: HD Graphics, 1050 МГц; Встроенный контроллер памяти: есть; Объем кэша L1: 64 Кб; Объем кэша L2: 512 Кб; Объем кэша L3: 2048 Кб; Инструкции: MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSE4; Поддержка AMD64/EM64T: есть; Поддержка NX Bit: есть; Поддержка Virtualization Technology

Процессор LGA 2011-3 25Mb, 2.2Ghz

Тип памяти: DDR4; Общий объём памяти, Гб: 16; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Форм-фактор: DIMM 288-контактный; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка Intel Extreme Memory Profile (XMP): нет; CAS Latency (CL): 17; Напряжение питания: 1.2 В

Тип памяти: DDR4; Общий объём памяти, Гб: 4; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Форм-фактор: DIMM 288-контактный; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 17; RAS to CAS Delay (tRCD): 17; Row Precharge Delay (tRP): 17; Напряжение питания: 1.2 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 8, односторонняя упаковка

Тип памяти: DDR4; Общий объём памяти, Гб: 4; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Форм-фактор: DIMM 288-контактный; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 17; Напряжение питания: 1.2 В; Количество чипов каждого модуля: 8

Тип памяти: DDR4; Общий объём памяти, Гб: 16; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Форм-фактор: DIMM 288-контактный; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка Intel Extreme Memory Profile (XMP): нет; CAS Latency (CL): 17; Напряжение питания: 1.2 В

Тип памяти: DDR4; Общий объём памяти, Гб: 16; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Форм-фактор: DIMM 288-контактный; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 14; Напряжение питания: 1.2 В; Радиатор: есть

Тип памяти: DDR4; Общий объём памяти, Гб: 32; Количество модулей: 2; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Форм-фактор: DIMM 288-контактный; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка Intel Extreme Memory Profile (XMP): есть; CAS Latency (CL): 16; RAS to CAS Delay (tRCD): 16; Row Precharge Delay (tRP): 16; Activate to Precharge Delay (tRAS): 39; Напряжение питания: 1.2

Тип памяти: DDR4; Общий объём памяти, Гб: 8; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Форм-фактор: DIMM 288-контактный; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка Intel Extreme Memory Profile (XMP): есть; CAS Latency (CL): 12; RAS to CAS Delay (tRCD): 14; Row Precharge Delay (tRP): 14; Напряжение питания: 1.35 В; Радиатор: есть; Количество ранков

Тип памяти: DDR4; Общий объём памяти, Гб: 8; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Форм-фактор: SODIMM 260-контактный; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Поддержка Intel Extreme Memory Profile (XMP): нет; CAS Latency (CL): 17; RAS to CAS Delay (tRCD): 17; Row Precharge Delay (tRP): 17; Напряжение питания: 1.2 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 8, двусторонняя

Тип памяти: DDR4; Общий объём памяти, Гб: 16; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Форм-фактор: DIMM 288-контактный; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 16; RAS to CAS Delay (tRCD): 16; Row Precharge Delay (tRP): 16; Activate to Precharge Delay (tRAS): 39; Напряжение питания: 1.2 В