Оперативная память Samsung DDR5 16Gb 4800MHz M323R2GA3BB0-CQKOL

Оперативная память HP, партномер: A2Z51AA, объём памяти: 8 Gb, тип памяти: DIMM, буферизованная (registered): да, поддержка ecc: да

Оперативная память IBM, партномер: 49Y1429, объём памяти: 8 Gb, тип памяти: DDR3, буферизованная (registered): да, поддержка ecc: да

Тип памяти: DDR-5 • Объем одного модуля: 16 Гб • Количество модулей в комплекте: 2 • Частота памяти: 4800 МГц • Пропускная способность: 38400 Мб/с • RAS to CAS Delay (tRCD): 40 • Row Precharge Delay (tRP): 39 • Напряжение питания: 1.1 В • Activate to Precharge Delay (tRAS): 39 • Вес: 0.1 кг • Объем памяти: 32 Гб • Гарантия производителя: 1 год • Страна производитель: Китай • Объем: 32 Гб/ Тип: DDR-5/ Частота: 4800 МГц/ Форм-фактор: DIMM/ Напряжение: 1.1 в/ Код: KVR48U40BS8K2-32

Общие свойства • Тип оперативная память

DDR5, 16 Гб (6000 MHz), модулей 1 • DIMM

Тип памяти: DDR-3 • Объем одного модуля: 16 Гб • Количество модулей в комплекте: 1 • Частота памяти: 1600 МГц • Пропускная способность: 12800 Мб/с • RAS to CAS Delay (tRCD): 11 • Row Precharge Delay (tRP): 11 • Напряжение питания: 1.35 В • Вес: 0.1 кг • Поддержка ECC: Есть • Объем памяти: 16 Гб • Гарантия производителя: 5 лет • Страна производитель: Китай • Объем: 16 Гб/ Тип: DDR-3/ Частота: 1600 МГц/ Форм-фактор: R-DIMM/ Напряжение: 1.35 в/ Код: KVR16LR11D4/16

Тип памяти: DDR-3 • Объем одного модуля: 16 Гб • Количество модулей в комплекте: 1 • Частота памяти: 1866 МГц • Пропускная способность: 14900 Мб/с • RAS to CAS Delay (tRCD): 13 • Row Precharge Delay (tRP): 13 • Напряжение питания: 1.5 В • Вес: 0.1 кг • Поддержка ECC: Есть • Объем памяти: 16 Гб • Гарантия производителя: 5 лет • Страна производитель: Китай • Объем: 16 Гб/ Тип: DDR-3/ Частота: 1866 МГц/ Форм-фактор: R-DIMM/ Напряжение: 1.5 в/ Код: KVR18R13D4/16

Тип памяти: DDR-3 • Объем одного модуля: 8 Гб • Количество модулей в комплекте: 2 • Частота памяти: 1866 МГц • Вес: 0.02 кг • Объем памяти: 16 Гб • Гарантия производителя: 2 года • Страна производитель: Китай • Объем: 16 Гб/ Тип: DDR-3/ Частота: 1866 МГц/ Форм-фактор: SO-DIMM/ Код: KF318LS11IBK2/16

Тип памяти: DDR-4 • Объем одного модуля: 16 Гб • Количество модулей в комплекте: 1 • Частота памяти: 2400 МГц • Пропускная способность: 19200 Мб/с • Напряжение питания: 1.2 В • Вес: 0.1 кг • Поддержка ECC: Есть • Объем памяти: 16 Гб • Гарантия производителя: 1 год • Страна производитель: Китай • Объем: 16 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 2400 МГц/ Форм-фактор: R-DIMM/ Напряжение: 1.2 в/ Код: 6200213

Тип памяти: DDR-4 • Объем одного модуля: 16 Гб • Количество модулей в комплекте: 1 • Частота памяти: 3200 МГц • Пропускная способность: 25600 Мб/с • Напряжение питания: 1.2 В • Вес: 0.015 кг • Вес в упаковке: 0.07 кг • Размеры: 30.12 x 67.75 x 3.8 мм • Объем памяти: 16 Гб • Гарантия производителя: 1 год • Страна производитель: Китай • Объем: 16 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 3200 МГц/ Форм-фактор: SO-DIMM/ Напряжение: 1.2 в/ Код: 4X70Z90845

Тип памяти: DDR-4 • Объем одного модуля: 16 Гб • Количество модулей в комплекте: 1 • Частота памяти: 2133 МГц • Пропускная способность: 17000 Мб/с • RAS to CAS Delay (tRCD): 15 • Row Precharge Delay (tRP): 15 • Напряжение питания: 1.2 В • Вес: 0.45 кг • Поддержка ECC: Есть • Объем памяти: 16 Гб • Гарантия производителя: 5 лет • Страна производитель: Китай • Объем: 16 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 2133 МГц/ Форм-фактор: R-DIMM/ Напряжение: 1.2 в/ Код: 726719-B21

Тип памяти: DDR-4 • Объем одного модуля: 16 Гб • Количество модулей в комплекте: 1 • Частота памяти: 2933 МГц • Пропускная способность: 21300 Мб/с • Напряжение питания: 1.2 В • Вес: 0.1 кг • Объем памяти: 16 Гб • Гарантия производителя: 2 года • Страна производитель: Китай • Объем: 16 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 2933 МГц/ Форм-фактор: R-DIMM/ Напряжение: 1.2 в/ Код: KSM26RS4/16HDI