Накопитель SSD Samsung PCI-E x4 2Tb MZ-V7S2T0BW 970 EVO Plus M.2 2280

Емкость2 ТБ • Форм-факторM.2 2280 • Назначение игровой, для сервера, для ноутбука и настольного компьютера, для ноутбука, для настольного компьютера, внешний • РазъемM.2 • Интерфейсы PCI-E • Линейка 990 PRO

Вес: 0.15 кг • Линейка: WD Blue • Скорость чтения: 560 Мб/сек • Скорость записи: 530 Мб/сек • Время наработки на отказ: 1750000 ч • Гарантия производителя: 3 года • Форм-фактор: M.2 2280/ Объем: 1Тб/ Чтение: 560 Мб.сек/ Запись: 530 Мб.сек/ Интерфейс: SATA-III/ Код: WDS100T2B0B

Дополнительная информация: новая 96-слойная TLC 3D V-NAND пятого поколения - замена старой 64-слойной в линейке 970 EVO,благодаря комбинации новейшей технологии V-NAND и оптимизаций микропрограммы, 970 EVO Plus обеспечивает производительность при случайной записи на 57% выше, чем 970 EVO • Тип флэш-памяти: TLC • Контроллер: Samsung Phoenix • Скорость чтения: 3500 Мб/сек • Скорость записи: 3300 Мб/сек • Объём буферной памяти: 2048 Мб • Время наработки на отказ: 1500000 ч • Гарантия производителя: 3 года • Форм-фактор: M.2 2280/ Объем: 2Тб/ Флэш-память: TLC/ Чтение: 3500 Мб.сек/ Запись: 3300 Мб.сек/ Интерфейс: PCI-E x4/ Код: MZ-V7S2T0BW

Серия 970 Evo Объем накопителя 500 Гб Интерфейс Pci-E x4 Форм-фактор M.2 2280 Тип памяти V-Nand Максимальная скорость записи 3200 Мб/с Максимальная скорость чтения 3500 Мб/с Потребляемая мощность 9 Вт мес

Серия 970 Evo Объем накопителя 250 Гб Интерфейс Pci-E x4 Форм-фактор M.2 2280 Тип памяти V-Nand 9 Максимальная скорость записи 2300 Мб/с Максимальная скорость чтения 3500 Мб/с Потребляемая мощность 8 Вт мес

Серия 970 Evo Объем накопителя 2048 Гб Интерфейс Pci-E x4 Форм-фактор M.2 2280 Тип памяти V-Nand Максимальная скорость записи 3300 Мб/с Максимальная скорость чтения 3500 Мб/с Потребляемая мощность 9 Вт мес Дополнительная информация Особенности • не поддерживает Mac Os

Серия 970 Evo Объем накопителя 1024 Гб Интерфейс Pci-E x4 Форм-фактор M.2 2280 Тип памяти 3D Mlc Толщина 2 мм Максимальная скорость записи 3300 Мб/с Максимальная скорость чтения 3500 Мб/с Потребляемая мощность 9 Вт мес

Тип накопителя SSD Тип использования внутренний Форм-фактор M.2 Объем памяти 2000 Гб

Назначение: внутреннийТип: SSDФорм-фактор: M.2Объём накопителя: 500 ГбИнтерфейс: PCI-E 4.0 x4Скорость чтения: 6900 МБ/секСкорость записи: 5000 МБ/секТип флэш-памяти: TLC

SSD накопитель

Тип: SSD; Емкость: 250 ГБ; Назначение: для ноутбука и настольного компьютера; Форм-фактор: M.2 2280; Тип флэш-памяти: TLC 3D NAND; Контроллер: Samsung Phoenix; Интерфейс PCI-E: есть; Тип PCI-E: PCI-E 3.0 x4; Разъем M.2: есть; Объем буфера: 512 МБ; Скорость чтения: 3500 МБ/с; Скорость записи: 2300 МБ/с; Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ): 550000 IOPS; Поддержка секторов размером 4 КБ: есть; Поддержка TRIM: есть; Поддержка NVMe: есть; Шифрование данных

Тип: SSD; Емкость: 500 ГБ; Назначение: для ноутбука и настольного компьютера; Форм-фактор: M.2 2280; Тип флэш-памяти: TLC 3D NAND; Контроллер: Samsung Phoenix; Интерфейс PCI-E: есть; Тип PCI-E: PCI-E 3.0 x4; Разъем M.2: есть; Объем буфера: 512 МБ; Скорость чтения: 3500 МБ/с; Скорость записи: 3200 МБ/с; Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ): 550000 IOPS; Поддержка секторов размером 4 КБ: есть; Поддержка TRIM: есть; Поддержка NVMe: есть; Шифрование данных