Модуль памяти Kingston KVR26N19S6/8, 8 Гб

Общий объём памяти, Гб: 32; Тактовая частота: 3200 МГц; Форм-фактор: SODIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 25600 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 22; RAS to CAS Delay (tRCD): 22; Row Precharge Delay (tRP): 22; Напряжение питания: 1.2 В; Количество ранков: 2; Радиатор: нет; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка

Общий объём памяти, Гб: 16; Тактовая частота: 3200 МГц; Форм-фактор: SODIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 25600 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 22; RAS to CAS Delay (tRCD): 22; Row Precharge Delay (tRP): 22; Напряжение питания: 1.2 В; Назначение: для настольных ПК; Количество ранков: 1; Радиатор: нет

Общий объём памяти, Гб: 4; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка Intel Extreme Memory Profile (XMP): есть; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 16; Напряжение питания: 1.2 В; Радиатор: есть; Количество ранков: 1

Покупка в день заказа. Продажа в кредит

Назначение стационарные (настольные) ПК Общий объем модулей памяти 32 Гб Объем модуля памяти 16 Гб Тип памяти DDR5 Количество слотов памяти 2

Общий объём памяти, Гб: 16; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; RAS to CAS Delay (tRCD): 19; Row Precharge Delay (tRP): 19; Напряжение питания: 1.2 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка

Общий объём памяти, Гб: 4; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка Intel Extreme Memory Profile (XMP): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; RAS to CAS Delay (tRCD): 19; Row Precharge Delay (tRP): 19; Напряжение питания: 1.2 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 4, односторонняя

Общий объём памяти, Гб: 4; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: SODIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка XMP: нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; RAS to CAS Delay (tRCD): 19; Row Precharge Delay (tRP): 19; Напряжение питания: 1.2 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 4, односторонняя упаковка

Общий объём памяти, Гб: 32; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): да; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; RAS to CAS Delay (tRCD): 19; Row Precharge Delay (tRP): 19; Activate to Precharge Delay (tRAS): 32; Напряжение питания: 1.2 В; Назначение: для настольных ПК; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя

Общий объём памяти, Гб: 8; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: SODIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка XMP: нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; RAS to CAS Delay (tRCD): 19; Row Precharge Delay (tRP): 19; Activate to Precharge Delay (tRAS): 32; Напряжение питания: 1.2 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 4, односторонняя

Общий объём памяти, Гб: 32; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; RAS to CAS Delay (tRCD): 19; Row Precharge Delay (tRP): 19; Напряжение питания: 1.2 В; Радиатор: нет

Общий объём памяти, Гб: 16; Объем одного модуля: 8 ГБ; Количество модулей: 2; Тактовая частота: 3200 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 25600 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 16; RAS to CAS Delay (tRCD): 18; Row Precharge Delay (tRP): 18; Напряжение питания: 1.35 В; Радиатор: есть; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 8, односторонняя