г. Москва, Московская область
Модуль памяти Kingston DDR3 8GB 1600MHz KVR16N11H/8WP

Модуль памяти Kingston DDR3 8GB 1600MHz KVR16N11H/8WP

цена 4 184 руб.
Перейти в интернет-магазин
купить в магазине CompYou.ru г. Москва
Общий объём памяти, Гб: 8; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка XMP: нет; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Activate to Precharge Delay (tRAS): 27; Напряжение питания: 1.5 В; Назначение: для настольных ПК; Количество ранков: 2; Радиатор подробнее
Похожие товары
288-pin; частота: 3600; латентность: CL17; форм-фактор: DIMM; комплект модулей для идеальной совместной работы, оснащается радиатором для эффективного охлаждения, тип поставки: Ret
Ситилинк г. Москва
15 710 руб.
МегаМаркет г. Москва
4 950 руб.
Назначение стационарные (настольные) ПК Общий объем модулей памяти 32 Гб Объем модуля памяти 16 Гб Тип памяти DDR5 Количество слотов памяти 2
IZICLICK г. Москва
18 500 руб.
Общий объём памяти, Гб: 2; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: SODIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 4, односторонняя упаковка
CompYou.ru г. Москва
1 748 руб.
Общий объём памяти, Гб: 2; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 4, односторонняя упаковка
CompYou.ru г. Москва
1 481 руб.
Общий объём памяти, Гб: 4; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 1
CompYou.ru г. Москва
2 315 руб.
Общий объём памяти, Гб: 8; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: SODIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка XMP: нет; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Activate to Precharge Delay (tRAS): 27; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2
CompYou.ru г. Москва
4 100 руб.
Общий объём памяти, Гб: 4; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: SODIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11
CompYou.ru г. Москва
4 699 руб.
Общий объём памяти, Гб: 4; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.35 В
CompYou.ru г. Москва
2 305 руб.
Общий объём памяти, Гб: 8; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка XMP: нет; Тип памяти: DDR3L; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Activate to Precharge Delay (tRAS): 30; Напряжение питания: 1.35 В; Количество ранков: 2
CompYou.ru г. Москва
4 016 руб.
Общий объём памяти, Гб: 16; Объем одного модуля: 8 ГБ; Количество модулей: 2; Тактовая частота: 3200 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 25600 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 16; RAS to CAS Delay (tRCD): 18; Row Precharge Delay (tRP): 18; Напряжение питания: 1.35 В; Радиатор: есть; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 8, односторонняя
CompYou.ru г. Москва
4 877 руб.
Общий объём памяти, Гб: 4; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка Intel Extreme Memory Profile (XMP): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; RAS to CAS Delay (tRCD): 19; Row Precharge Delay (tRP): 19; Напряжение питания: 1.2 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 4, односторонняя
CompYou.ru г. Москва
1 853 руб.
Compare-Price.ru - сравнение цен интернет-магазинов. Просто выбрать. Легко купить.