Модуль памяти G.SKILL Trident Z RGB 16 ГБ (8 ГБ x 2 шт.) DDR4 3200 МГц DIMM CL16 F4-3200C16D-16GTZR

288-pin; частота: 3200; латентность: CL16; форм-фактор: DIMM; комплект модулей для идеальной совместной работы, оснащается радиатором для эффективного охлаждения, тип поставки: Ret

288-pin; частота: 3600; латентность: CL18; форм-фактор: DIMM; комплект модулей для идеальной совместной работы, оснащается радиатором для эффективного охлаждения, тип поставки: Ret

288-pin; частота: 2666; латентность: CL16; форм-фактор: DIMM; комплект модулей для идеальной совместной работы, оснащается радиатором для эффективного охлаждения, тип поставки: Ret

288-pin; частота: 4000; латентность: CL19; форм-фактор: DIMM; комплект модулей для идеальной совместной работы, оснащается радиатором для эффективного охлаждения, тип поставки: Ret

288-pin; частота: 3000; латентность: CL15; форм-фактор: DIMM; комплект модулей для идеальной совместной работы, оснащается радиатором для эффективного охлаждения, тип поставки: Ret

288-pin; частота: 3000; латентность: CL15; форм-фактор: DIMM; комплект модулей для идеальной совместной работы, оснащается радиатором для эффективного охлаждения, тип поставки: Ret

Покупка в день заказа. Продажа в кредит

Покупка в день заказа. Продажа в кредит

Общие свойства • Тип оперативная память

Общий объём памяти, Гб: 16; Объем одного модуля: 8 ГБ; Количество модулей: 2; Тактовая частота: 3200 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 25600 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 16; RAS to CAS Delay (tRCD): 18; Row Precharge Delay (tRP): 18; Напряжение питания: 1.35 В; Радиатор: есть; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 8, односторонняя

Общий объём памяти, Гб: 16; Тактовая частота: 3200 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 25600 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка XMP: нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 22; RAS to CAS Delay (tRCD): 22; Row Precharge Delay (tRP): 22; Напряжение питания: 1.2 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка

Общий объём памяти, Гб: 32; Тактовая частота: 3200 МГц; Форм-фактор: SODIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 25600 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 22; RAS to CAS Delay (tRCD): 22; Row Precharge Delay (tRP): 22; Напряжение питания: 1.2 В; Количество ранков: 2; Радиатор: нет; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка