Модуль памяти Apacer AS16GGB24CEYBGH 2400MHz 16Gb

Общий объём памяти, Гб: 4; Тактовая частота: 2400 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка Intel Extreme Memory Profile (XMP): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 17; Напряжение питания: 1.2 В

Модуль памяти TCH ThinkSystem 64GB TruDDR4 3200 MHz (2Rx4 1.2V) RDIMM

Модуль памяти RAM module 2 GB for TS-251, TS-251+-2G, TS-251+-8G, TS-251-4G, TS-451, TS-451+-2G, TS-451+-8G, TS-451-4G, TS-451U, TS-453 Pro, TS-453 Pro-8G, TS-453A-4G, TS-453A-8G, TS-453mini

Модуль памяти DDR4 8GB для TS-877XU, TS-1277XU, TS-1677XU, TS-977XU, TS-977XU-RP, TVS-1272XU-RP, TVS-1672XU-RP, TVS-2472XU-RP, TVS-872XU-RP

Модуль памяти DDR4 4GB для TS-873U, TS-873U-RP, TS-1273U, TS-1273U-RP, TS-1673U, TS-1673U-RP

Модуль памяти DDR4 8GB для TDS-16489U, TES-1885U, TES-3085U, TS-1685

Общий объём памяти, Гб: 8; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: SODIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; Напряжение питания: 1.5 В

Общий объём памяти, Гб: 2; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: SODIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 4, односторонняя упаковка

Общий объём памяти, Гб: 4; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка Intel Extreme Memory Profile (XMP): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; RAS to CAS Delay (tRCD): 19; Row Precharge Delay (tRP): 19; Напряжение питания: 1.2 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 4, односторонняя

Общий объём памяти, Гб: 16; Количество модулей: 2; Тактовая частота: 3200 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 25600 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 16; RAS to CAS Delay (tRCD): 18; Row Precharge Delay (tRP): 18; Напряжение питания: 1.35 В; Радиатор: есть; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 8, односторонняя упаковка

288-pin; частота: 2400; латентность: CL14; форм-фактор: DIMM; оснащается радиатором для эффективного охлаждения, тип поставки: Ret

288-pin; частота: 2400; латентность: CL16; форм-фактор: DIMM; оснащается радиатором для эффективного охлаждения, тип поставки: Ret