Flare X (For AMD) DDR4 16Gb KIT2 PC25600 DIMM F4-3200C16D-16GFX G.Skill

Оперативная память 4 GB PC3200 DDR1 SDRAM DIMM Memory Kit (2 x 2 GB) HP P/N: 381819-001 416107-001 373030-051

Оперативная память 64 GB REG PC2-5300 8 x 8 GB Kit HP P/N: 432671-001

Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:SODIMM 260-контактный Тактовая частота:3200 МГц Пропускная способность:25600 Мб/с Латентность:CL22 Тайминги:22-22-22

Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:DIMM 288-контактный Тактовая частота:3200 МГц Пропускная способность:25600 Мб/с Латентность:CL16 Подсветка:нет

Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:DIMM 288-контактный Тактовая частота:3200 МГц Пропускная способность:25600 Мб/с Латентность:CL16 Тайминги:16-18-18

Стандарт памяти: pc4-25600; Тип памяти для фильтра: DDR4; Тип памяти: 288-pin 1.35В DDR4 DIMM; Объем: 8 • Тип упаковки: Bulk • Комплект поставки: Одна планка памяти • Назначение: Для компьютера • Объем: 8 Гб • Напряжение питания: 1.35 • Форм-фактор: DIMM • Подсветка: Отсутствует • Игровая: Да • Частота работы: 3 200 МГц • Проверка и коррекция ошибок: Отсутствует • Латентность: CL16 • Буферизация: Отсутствует • Пропускная способность: 25 600 Мб/с • Количество планок: Одна

DDR4, 16 Гб (3200 МГц) • DIMM

DDR4, 64 Гб (3200 МГц), модулей 2 • DIMM

Общий объём памяти, Гб: 16; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; RAS to CAS Delay (tRCD): 19; Row Precharge Delay (tRP): 19; Activate to Precharge Delay (tRAS): 43; Напряжение питания: 1.2 В; Количество ранков: 2

DDR4, 16 Гб ( 2666 МГц), модулей 2 • SODIMM

DDR4, 32 Гб (3200 МГц), модулей 1 • SODIMM

204-pin; частота: 1600; латентность: CL11; форм-фактор: SO-DIMM; тип поставки: OEM