Модуль памяти Apacer DDR4 2133 DIMM 8192Mb 2133MHz AU08GGB13CDYBGH

Тип памяти:DDR5 Форм-фактор:DIMM 288-контактный Тактовая частота:6200 МГц Пропускная способность:49600 Мб/с Латентность:CL40 Тайминги:40-40-40-76

Общий объём памяти, Гб: 4; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка Intel Extreme Memory Profile (XMP): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; RAS to CAS Delay (tRCD): 19; Row Precharge Delay (tRP): 19; Напряжение питания: 1.2 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 4, односторонняя

Общий объём памяти, Гб: 4; Тактовая частота: 2400 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка Intel Extreme Memory Profile (XMP): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 17; Напряжение питания: 1.2 В

Общий объём памяти, Гб: 8; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: SODIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; Напряжение питания: 1.5 В

Общий объём памяти, Гб: 16; Количество модулей: 2; Тактовая частота: 4000 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 32000 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка Intel Extreme Memory Profile (XMP): есть; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; RAS to CAS Delay (tRCD): 19; Row Precharge Delay (tRP): 19; Activate to Precharge Delay (tRAS): 39; Напряжение питания: 1.35 В; Радиатор

Общий объём памяти, Гб: 8; Объем одного модуля: 8 ГБ; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 4800 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Тип памяти: DDR5; CAS Latency (CL): 40; Назначение: для ПК

Общий объём памяти, Гб: 16; Форм-фактор: SODIMM; Пропускная способность: 25600 Мб/с; Тип памяти: DDR4; Напряжение питания: 1.2 В; Радиатор: нет

Покупка в день заказа