46C7577 Комплект модулей памяти IBM 2х8Гб PC2-5300 CL5 ECC FBDIMM

Цвет: Зеленый • Тип памяти: DDR4 • Поддержка ECC: Да • Радиатор: Нет • CAS Latency (CL): 22 • Тип модуля: DIMM • RAS to CAS Delay (tRCD): 21 • Row Precharge Delay (tRP): 21 • Серверная оперативная память Samsung [M393A4K40DB3-CWE] является надежным решением для использования в составе серверного оборудования и других вычислительных систем. В основе содержатся чипы стандарта DDR4. Двухранговая память отличается емкостью 32 ГБ и работой на частоте 3200 МГц. Технология ECC за счет автоматического распознавания и устранения ошибок повышает стабильность функционирования памяти. Из других особенностей серверной памяти Samsung отмечаются небольшая высота планки и экономичное напряжение питания в пределах 1.2 В

Тип памяти DDR4 Форм-фактор LRDIMM 288-контактный Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 МБ/с Объем 1 модуль 64 ГБ Поддержка ECC есть Буферизованная (Registered) да Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL) 17 RAS to CAS Delay (tRCD) 17 Row Precharge Delay (tRP)

Покупка в день заказа. Продажа в кредит

Назначение стационарные (настольные) ПК Общий объем модулей памяти 32 Гб Объем модуля памяти 16 Гб Тип памяти DDR5 Количество слотов памяти 2

Модуль памяти DDR4 32GB DIMM ECC Reg PC4-2400T-R

Модуль памяти кнопок 5000088985 для KIA Stinger 2018 -

Цвет: Зеленый • Подсветка: Нет • Тип памяти: DDR5 • Поддержка ECC: Нет • Радиатор: Нет • CAS Latency (CL): 46 • Тип модуля: DIMM • Оперативная память Samsung [M323R2GA3DB0-CWM] станет отличным выбором для пользователей, желающих собрать или модернизировать производительный компьютер для дома или офиса. Объем модуля значителен – 16 ГБ. Память соответствует типу DDR5. Модуль отличается безупречной совместимостью с любыми компонентами ПК. Тактовая частота устройства высока – 5600 МГц. Пропускная способность памяти достаточна для эффективной работы любого типового программного обеспечения • Оперативная память Samsung [M323R2GA3DB0-CWM] использует стандартное для DDR5 напряжение питания – 1.1 В. Энергопотребление модуля минимально. Память не подвержена перегреву